導電(diàn)橡胶(jiāo)

• 原位(wèi)垫(diàn)片(piàn)通(tòng)过(guò)減少(shǎo)原材料、勞動(dòng)力或(huò)組裝(zhuāng)时(shí)間(jiān)，带(dài)来(lái)全(quán)面(miàn)成(chéng)本(běn)节(jié)約

• 室(shì)温(wēn)固化(huà)垫(diàn)片(piàn)材料無需昂貴的(de)热固化(huà)系(xì)統，便于(yú)使用廉價的(de)塑料或(huò)金(jīn)屬基材

• 單組分(fēn)化(huà)合物(wù)無需混合成(chéng)分(fēn)，從而(ér)縮短(duǎn)生(shēng)产周期並(bìng)消除相關(guān)浪費

• 作(zuò)系(xì)統易于(yú)編程，實(shí)現(xiàn)快(kuài)速零(líng)件更(gèng)換，新(xīn)設計(jì)所(suǒ)需工具投入(rù)极(jí)少(shǎo)，原型開(kāi)發(fà)时(shí)間(jiān)为(wèi)24至(zhì)48小时(shí)

• 高(gāo)屏蔽效果(guǒ)：10 GHz 范圍內(nèi) 85–100 dB

• 
  

1.卓越的(de)热傳導效率

價值： 降低(dī)芯片(piàn)結温(wēn)，提(tí)升(shēng)設備性(xìng)能(néng)。

效果(guǒ)： 3.5 W/mK 的(de)導热系(xì)數能(néng)夠迅速将處(chù)理(lǐ)器（CPU/GPU）、功率器件（IGBT/MOSFET）产生(shēng)的(de)热量(liàng)傳導至(zhì)散(sàn)热器。这(zhè)有(yǒu)助于(yú)防止芯片(piàn)因(yīn)过(guò)热而(ér)降频或(huò)损壞，确保設備在(zài)滿負荷下(xià)穩定(dìng)運行。

2. 超长(cháng)的(de)使用壽命与穩定(dìng)性(xìng)（HXP特(tè)性(xìng)）

價值： 減少(shǎo)維護成(chéng)本(běn)，提(tí)升(shēng)产品耐用性(xìng)。

效果(guǒ)： 普通(tòng)導热矽脂在(zài)长(cháng)期高(gāo)温(wēn)和(hé)热循环(huán)下(xià)容易干(gàn)裂、揮發(fà)或(huò)被“擠出(chū)”接觸面(miàn)（泵出(chū)效應(yìng)），導致(zhì)热阻增加。SIL35-HXP 的(de) HXP 配方顯著降低(dī)了(le)这(zhè)一(yī)風(fēng)险，即使在(zài)长(cháng)达數年(nián)的(de)運行後(hòu)，依然能(néng)保持(chí)穩定(dìng)的(de)導热性(xìng)能(néng)，避免因(yīn)“干(gàn)燒”導致(zhì)的(de)設備故障。

3. 優异(yì)的(de)施工性(xìng)能(néng)与低(dī)應(yìng)力

價值： 提(tí)高(gāo)生(shēng)产良率，保護精密器件。

效果(guǒ)： 具有(yǒu)良好(hǎo)的(de)觸变性(xìng)，不(bù)易流淌，便于(yú)自(zì)動(dòng)化(huà)點(diǎn)胶(jiāo)或(huò)丝(sī)网(wǎng)印(yìn)刷。同(tóng)时(shí)，作(zuò)为(wèi)流體(tǐ)材料，它(tā)能(néng)完美(měi)填充微米(mǐ)级的(de)表(biǎo)面(miàn)凹凸不(bù)平，消除空(kōng)气(qì)間(jiān)隙，且(qiě)不(bù)会(huì)对(duì)脆弱(ruò)的(de)芯片(piàn)表(biǎo)面(miàn)施加機(jī)械應(yìng)力。

宽温(wēn)域适應(yìng)性(xìng)

價值： 适應(yìng)嚴苛的(de)應(yìng)用环(huán)境。

效果(guǒ)： 無論是(shì)寒冷(lěng)的(de)戶外(wài)环(huán)境還(huán)是(shì)高(gāo)温(wēn)的(de)發(fà)動(dòng)機(jī)艙內(nèi)，SIL35-HXP 都能(néng)保持(chí)穩定(dìng)的(de)物(wù)理(lǐ)状态，不(bù)凍結、不(bù)碳化(huà)，确保設備在(zài)各(gè)種(zhǒng)气(qì)候条(tiáo)件下(xià)都能(néng)可(kě)靠散(sàn)热。

1.新(xīn)能(néng)源汽车与動(dòng)力電(diàn)池

應(yìng)用场(chǎng)景： 车载(zài)充電(diàn)機(jī)、電(diàn)機(jī)控制器、DC-DC轉(zhuǎn)換器。

具體(tǐ)用途： 用于(yú) IGBT 模块(kuài)或(huò)功率 MOSFET 与水(shuǐ)冷(lěng)闆之(zhī)間(jiān)的(de)热傳導。汽车電(diàn)子面(miàn)臨劇烈的(de)温(wēn)度(dù)循环(huán)和(hé)振動(dòng)，SIL35-HXP 的(de)抗泵出(chū)特(tè)性(xìng)于(yú)防止因(yīn)热界面(miàn)失效導致(zhì)的(de)動(dòng)力中(zhōng)斷至(zhì)關(guān)重(zhòng)要(yào)。

2. 工業自(zì)動(dòng)化(huà)与電(diàn)力電(diàn)子

應(yìng)用场(chǎng)景： 变频器、伺服驅動(dòng)器、工業電(diàn)源。

具體(tǐ)用途： 用于(yú)大(dà)功率整流桥、IGBT 功率模块(kuài)的(de)散(sàn)热。工業設備通(tòng)常 24 小时(shí)連(lián)續運行，SIL35-HXP 能(néng)确保散(sàn)热系(xì)統长(cháng)期有(yǒu)效，防止設備因(yīn)过(guò)热停機(jī)。

3. 通(tòng)信(xìn)与网(wǎng)絡基礎設施

應(yìng)用场(chǎng)景： 5G 基站射频單元(yuán)、服務(wù)器 CPU/GPU 散(sàn)热、光(guāng)模块(kuài)。

具體(tǐ)用途： 用于(yú)高(gāo)性(xìng)能(néng)計(jì)算芯片(piàn)与散(sàn)热鳍片(piàn)之(zhī)間(jiān)的(de)填充。在(zài)高(gāo)密度(dù)的(de)通(tòng)信(xìn)設備中(zhōng)，SIL35-HXP 能(néng)有(yǒu)效控制芯片(piàn)温(wēn)度(dù)，确保數據(jù)傳輸的(de)穩定(dìng)性(xìng)和(hé)低(dī)延遲。

4. 医療電(diàn)子設備

應(yìng)用场(chǎng)景： 医用激光(guāng)設備、高(gāo)频手(shǒu)術(shù)刀、影像處(chù)理(lǐ)設備。

具體(tǐ)用途： 用于(yú)高(gāo)功率医療成(chéng)像或(huò)治療設備的(de)電(diàn)源和(hé)控制模块(kuài)散(sàn)热。其(qí)长(cháng)期穩定(dìng)性(xìng)确保了(le)医療設備在(zài)长(cháng)时(shí)間(jiān)手(shǒu)術(shù)或(huò)治療过(guò)程中(zhōng)的(de)安(ān)全(quán)運行。

5. 航空(kōng)航天(tiān)与國(guó)防

應(yìng)用场(chǎng)景： 航空(kōng)電(diàn)子設備、雷(léi)达系(xì)統。

具體(tǐ)用途： 用于(yú)极(jí)端环(huán)境下(xià)的(de)高(gāo)功率射频組件散(sàn)热，适應(yìng)高(gāo)空(kōng)低(dī)壓和(hé)宽温(wēn)域变化(huà)。

該产品采用先進(jìn)的(de)矽酮聚合物(wù)基體(tǐ)，填充高(gāo)純度(dù)陶瓷或(huò)氧化(huà)物(wù)導热填料，並(bìng)添加了(le)萊尔德獨有(yǒu)的(de)穩定(dìng)剂配方（HXP技術(shù)）。SIL35-HXP 具有(yǒu)優异(yì)的(de)觸变性(xìng)和(hé)延展(zhǎn)性(xìng)，能(néng)夠在(zài)极(jí)薄的(de)塗布(bù)厚度(dù)下(xià)實(shí)現(xiàn)高(gāo)效的(de)热傳導。

其(qí)主(zhǔ)要(yào)特(tè)性(xìng)包(bāo)括：

導热系(xì)數： 約 3.5 W/mK，提(tí)供极(jí)低(dī)的(de)热阻抗。

工作(zuò)温(wēn)度(dù)范圍： 通(tòng)常为(wèi) -50°C 至(zhì) +200°C，适應(yìng)极(jí)端温(wēn)变环(huán)境。

低(dī)揮發(fà)性(xìng)（HXP）： 采用特(tè)殊配方，有(yǒu)效抑制高(gāo)温(wēn)下(xià)的(de)“泵出(chū)效應(yìng)”（Pump-Out）和(hé)油(yóu)離現(xiàn)象(xiàng)，确保长(cháng)期可(kě)靠性(xìng)。

絕緣性(xìng)： 具備優异(yì)的(de)電(diàn)絕緣性(xìng)能(néng)，防止電(diàn)路(lù)短(duǎn)路(lù)。